可控硅型号与参数表
可控硅是一种半导体器件，常用于控制电力系统中的电流和电压。不同型号的可控硅有不同的参数，本文将介绍几种常用可控硅的型号和参数。
一、GTO
GTO是Gate Turn-Off Thyristor的缩写，是一种高压高功率可控硅。它的主要参数包括最大反向电压、额定电流、导通压降和关断时间等。以GTO25N120为例，其参数如下：
1. 最大反向电压：1200V
2. 额定电流：25A
3. 导通压降：2.5V
4. 关断时间：200ns
二、IGBT
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，是一种高性能功率半导体器件。它的主要参数包括最大反向电压、额定电流、最大耐受电压和开关时间等。以IRG4PC50W为例，其参数如下：
1. 最大反向电压：600V
2. 额定电流：55A
3. 最大耐受电压：2000V
4. 开关时间：35ns
三、SCR
SCR是Silicon Controlled Rectifier的缩写，是一种可控硅整流器。它的主要参数包括最大反向电压、额定电流、触发电流和保持电流等。以MCR100-6为例，其参数如下：
1. 最大反向电压：600V
2. 额定电流：0.8A
3. 触发电流：5mA
4. 保持电流：0.3mA
四、TRIAC
TRIAC是Triode for Alternating Current的缩写，澳门游戏娱乐场棋牌是一种双向可控硅开关。它的主要参数包括最大反向电压、额定电流、触发电压和保持电流等。以BT136-600E为例，其参数如下：
1. 最大反向电压：600V
2. 额定电流：4A
3. 触发电压：1.5V
4. 保持电流：5mA
五、DIAC
DIAC是Diode for Alternating Current的缩写，是一种双向触发二极管。它的主要参数包括最大反向电压、额定电流和触发电压等。以DB3为例，其参数如下：
1. 最大反向电压：32V
2. 额定电流：2A
3. 触发电压：28V
六、SIDAC
SIDAC是Silicon Diode for Alternating Current的缩写，是一种双向触发二极管。它的主要参数包括最大反向电压、额定电流和触发电压等。以K2200G为例，其参数如下：
1. 最大反向电压：200V
2. 额定电流：2A
3. 触发电压：110V
七、
可控硅是电力系统中常用的半导体器件之一，不同型号的可控硅有不同的参数。本文介绍了几种常用可控硅的型号和参数，供读者参考。
